上(Superior)海 KRi 考夫曼離子源 KDC
1978 年 Dr. Kaufman 考夫曼博士在(Exist)美國(Country)創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生(Born)産寬束離子源, 根據設計原理分爲(For)考夫曼離子源, 霍爾離子源和(And)射頻離子源. 美國(Country)考夫曼離子源曆經 40 年改良及發展已取得多項成果. KRi 離子源在(Exist)真空環境中實現薄膜沉積, 幹式納米刻蝕和(And)修改材料表面性能.
在(Exist)真空環境下, 通過使用(Use)美國(Country) KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到(Arrive)亞納米範圍的(Of)關鍵尺寸的(Of)結構, 具有原子級控制的(Of)材料和(And)表面特征.
美國(Country) KRi 離子源适用(Use)于(At)各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和(And)離子束抛光 IBF 等工藝. 上(Superior)海伯東是(Yes)美國(Country) KRi 考夫曼離子源中國(Country)總代理.
KRI 考夫曼離子源 KDC 160
KDC 160 是(Yes)考夫曼離子源 KDC 系列最大(Big), 離子能量最強的(Of)栅極離子源, 适用(Use)于(At)離子刻蝕, 真空鍍膜
|
型号 |
離子束動能 |
最大(Big)離子束流 |
栅極直徑 |
離子束流形狀 |
|
KDC 160 |
100-1200 V |
>650 mA |
16cm Φ |
聚焦, 平行, 散射 |
考夫曼離子源 KDC 75
緊湊栅極離子源, 适用(Use)于(At)中小型腔内
|
型号 |
離子束動能 |
最大(Big)離子束流 |
栅極直徑 |
離子束流形狀 |
|
KDC 75 |
100-1200 V |
>250 mA |
7.5cm Φ |
聚焦, 平行, 散射 |
KRI 考夫曼離子源 KDC 100
廣泛加裝在(Exist)薄膜沉積大(Big)批量生(Born)産設備中
|
型号 |
離子束動能 |
最大(Big)離子束流 |
栅極直徑 |
離子束流形狀 |
|
KDC 100 |
100-1200 V |
>400 mA |
12cm Φ |
聚焦, 平行, 散射 |
考夫曼離子源 KDC 10
小型考夫曼離子源, 适用(Use)于(At)集成在(Exist)小型的(Of)真空設備中, 例如預清洗, 離子濺射, 離子蝕刻
|
型号 |
離子束動能 |
最大(Big)離子束流 |
栅極直徑 |
離子束流形狀 |
|
KDC 10 |
100-1200 V |
>10 mA |
1 cm Φ |
聚焦, 平行, 散射 |
考夫曼離子源 KDC 40
小型考夫曼離子源, 低成本直流栅極離子源
|
型号 |
離子束動能 |
最大(Big)離子束流 |
栅極直徑 |
離子束流形狀 |
|
KDC 40 |
100-1200 V |
>100 mA |
4cm Φ |
聚焦, 平行, 散射 |