KRi 離子源|考夫曼離子源,射頻離子源,霍爾離子源

KRi 考夫曼離子源

1978 年 Dr. Kaufman 考夫曼博士在(Exist)美國(Country)創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生(Born)産寬束離子源, 根據設計原理分爲(For)考夫曼離子源, 霍爾離子源和(And)射頻離子源. 美國(Country)考夫曼離子源曆經 40 年改良及發展已取得多項成果. KRi 離子源在(Exist)真空環境中實現薄膜沉積, 幹式納米刻蝕和(And)修改材料表面性能.

在(Exist)真空環境下, 通過使用(Use)美國(Country) KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到(Arrive)亞納米範圍的(Of)關鍵尺寸的(Of)結構, 具有原子級控制的(Of)材料和(And)表面特征.

美國(Country) KRi 離子源适用(Use)于(At)各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和(And)離子束抛光 IBF 等工藝. 上(Superior)海伯東是(Yes)美國(Country) KRi 考夫曼離子源中國(Country)總代理.

霍爾離子源 射頻離子源 考夫曼離子源 離子源中和(And)器

考夫曼離子源創始人(People) Dr. Harold Kaufman

産品詳細資料

1926 年在(Exist)美國(Country)出(Out)生(Born)
1951 年加入美國(Country) NASA 路易斯研究中心
1971 年考夫曼博士獲得美國(Country)宇航局傑出(Out)服務獎
1978 年考夫曼博士成立了(Got it) Kaufman & Robinson,Inc 公司, 研發生(Born)産商用(Use)離子源
2016 年入選美國(Country)太空總署 Grenn 研究中心名人(People)堂
2018 年1月逝世

KRi 射頻離子源 RFICP 系列

産品詳細資料

射頻離子源提供高能量, 低濃度的(Of)離子束, 離子源單次工藝時(Hour)間更長, 适合多層膜的(Of)制備和(And)離子濺鍍鍍膜

離子源型号	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
栅極直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	22 cm Φ	38 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射

KRi 考夫曼離子源 KDC 系列

産品詳細資料

離子源通過加熱燈絲産生(Born)離子束, 低濃度高能量寬束型離子源

離子源型号	KDC 10	KDC 40	KDC 75	KDC 100	KDC 160
離子束流	>10 mA	>100 mA	>250 mA	>400 mA	>650 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
栅極直徑	1 cm Φ	4 cm Φ	7.5 cm Φ	12 cm Φ	16 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射

KRi 霍爾離子源 eH 系列

産品詳細資料

霍爾離子源無栅極, 高濃度, 低能量寬束型離子源

離子源型号	eH 400	eH 1000	eH 2000	eH 3000	eH Linear
離子動能	50-300 V	50-300 V	50-300 V	50-250 V	50-300 V
離子束流	5A	10A	10A	20A	根據實際應用(Use)
散射角度	>45	>45	>45	>45	>45