KRi 射頻離子源 RFICP

KRi 射頻離子源 Gridded RFICP

1978 年 Dr. Kaufman 考夫曼博士在(Exist)美國(Country)創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生(Born)産寬束離子源, 根據設計原理分爲(For)考夫曼離子源, 霍爾離子源和(And)射頻離子源. 美國(Country)考夫曼離子源曆經 40 年改良及發展已取得多項成果. KRi 離子源在(Exist)真空環境中實現薄膜沉積, 幹式納米刻蝕和(And)修改材料表面性能.

在(Exist)真空環境下, 通過使用(Use)美國(Country) KRi 考夫曼離子源, 制造從微米到(Arrive)亞納米範圍的(Of)關鍵尺寸的(Of)結構, 具有原子級控制的(Of)材料和(And)表面特征.

美國(Country) KRi 離子源适用(Use)于(At)各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和(And)離子束抛光 IBF 等工藝. 上(Superior)海伯東是(Yes)美國(Country) KRi 考夫曼離子源中國(Country)總代理.

霍爾離子源 射頻離子源 考夫曼離子源 離子源中和(And)器

KRi 射頻離子源 RFICP 無需燈絲提供高能量, 低濃度的(Of)離子束, 離子源單次工藝時(Hour)間更長, KRi 離子源适合多層膜的(Of)制備, 離子濺鍍鍍膜, 離子束刻蝕. 主要(Want)型号: RFICP 380, RFICP 220, RFICP 140, RFICP 100, RFICP 40

KRi 射頻離子源 RFICP 系列

産品詳細資料

射頻離子源提供高能量, 低濃度的(Of)離子束, 離子源單次工藝時(Hour)間更長, 适合多層膜的(Of)制備和(And)離子濺鍍鍍膜

離子源型号	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
栅極直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	22 cm Φ	38 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射