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KRi 霍爾離子源 eH 系列
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KRi 霍爾離子源 eH 系列

美國(Country) KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列
美國(Country) KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設計, 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等級的(Of)細微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以(By)以(By)納米精度來(Come)處理薄膜及表面, 多種型号滿足科研及工業, 半導體應用(Use). 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設計提高吞吐量和(And)覆蓋沉積區. 整體易操作(Do), 易維護. 霍爾離子源 eH 提供一(One)套完整的(Of)方案包含離子源, 電子中和(And)器, 電源供應器, 流量控制器 MFC 等等可以(By)直接整合在(Exist)各類真空設備中, 例如鍍膜機, load lock, 濺射系統, 卷繞鍍膜機等.
霍爾離子源

美國(Country) KRI 霍爾離子源 eH 特性

無栅極
高電流低能量寬束型離子束
燈絲壽命更長
更長的(Of)運行時(Hour)間
更清潔的(Of)薄膜
燈絲安裝在(Exist)離子源側面
發散光束 >45
可快速更換陽極模塊
可選 Cathode / Neutralize 中和(And)器 

EH 霍爾離子源


美國(Country) KRI 霍爾離子源 eH 主要(Want)應用(Use)
輔助鍍膜 IBAD
濺鍍&蒸鍍 PC
表面改性、激活 SM
沉積 (DD)
離子蝕刻 LIBE
光學鍍膜
Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)
Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)

例如
1. 離子輔助鍍膜及電子槍蒸鍍
2. 線上(Superior)式磁控濺射及蒸鍍設備預清洗
3. 表面處理
4. 表面硬化層鍍膜
5. 磁控濺射輔助鍍膜
7. 偏壓離子束磁控濺射鍍膜

美國(Country) KRI 霍爾離子源 Gridless eH

霍爾離子源 eH 系列在(Exist)售型号:

型号

eH400

eH1000

eH2000

eH3000

eH Linear

中和(And)器

F or HC

F or HC

F or HC

F or HC

F

陽極電壓

50-300 V

50-300 V

50-300 V

50-250 V

50-300 V

離子束流

5A

10A

10A

20A

根據實際應用(Use)

散射角度

>45

>45

>45

>45

>45

氣體流量

2-25 sccm

2-50 sccm

2-75 sccm

5-100 sccm

根據實際應用(Use)

本體高度

3.0“

4.0“

4.0“

6.0“

根據實際應用(Use)

直徑

3.7“

5.7“

5.7“

9.7“

根據實際應用(Use)

水冷

可選

可選

是(Yes)

可選

根據實際應用(Use)

F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current

1978 年 Dr. Kaufman 博士在(Exist)美國(Country)創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生(Born)産考夫曼離子源, 霍爾離子源和(And)射頻離子源. 美國(Country)考夫曼離子源曆經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用(Use)于(At)離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上(Superior)海伯東是(Yes)美國(Country)考夫曼離子源中國(Country)總代理.

若您需要(Want)進一(One)步的(Of)了(Got it)解 KRI 霍爾離子源, 請參考以(By)下聯絡方式
上(Superior)海伯東: 葉小姐                                  台灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267                      T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                          F: +886-3-567-0049
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