普發氦質譜檢漏儀

Pfeiffer 渦輪分子泵應用(Use)于(At)電子束蒸發鍍膜
電子束蒸鍍是(Yes) PVD 薄膜沉積技術的(Of)一(One)種. 與傳統熱阻蒸鍍方式不(No)同, 電子束蒸鍍利用(Use)電磁場的(Of)配合可以(By)精準地實現利用(Use)高能電子轟擊坩埚内靶材, 使之融化進而沉積在(Exist)基片上(Superior). 電子束蒸鍍可以(By)鍍出(Out)高純度高精度的(Of)薄膜. 電子束是(Yes)一(One)種高速的(Of)電子流. 電子束蒸發是(Yes)目前真空鍍膜技術中一(One)種成熟且主要(Want)的(Of)鍍膜方法, 它解決了(Got it)電阻加熱方式中膜料與蒸鍍源材料直接接觸容易互混的(Of)問題. 電子束蒸發廣泛應用(Use)于(At)家電電器, 鍾表, 燈具, 工藝美術品, 玩具, 車燈反光罩, 手機按鍵外殼以(By)及儀器儀表, 塑料, 玻璃, 陶瓷、磁磚等表面裝飾性鍍膜及工模具的(Of)功能塗層.

電子束蒸鍍是(Yes)利用(Use)加速電子轟擊鍍膜材料, 電子的(Of)動能轉換成熱能使鍍膜材料加熱蒸發并成膜. 電子束加熱蒸鍍的(Of)特點是(Yes)能獲得極高的(Of)能量密度, 最高可達 109w/cm2, 加熱溫度可達 3000～6000℃, 可以(By)蒸發難熔金屬或化合物; 被蒸發材料置于(At)水冷的(Of)坩埚中, 可避免坩埚材料的(Of)污染, 制備高純薄膜; 另外, 由于(At)蒸發物加熱面積小, 因而熱輻射損失減少, 熱效率高

電子束蒸發鍍膜需要(Want)高真空環境！
電子束蒸發法是(Yes)在(Exist)真空條件下利用(Use)電子束進行直接加熱蒸發材料, 使蒸發材料氣化并向基闆輸運, 在(Exist)基底上(Superior)凝結形成薄膜的(Of)方法. 常見于(At)半導體科研工業領域. 利用(Use)加速後的(Of)電子能量打擊材料标靶, 使材料标靶蒸發升騰. 最終沉積到(Arrive)目标上(Superior).
在(Exist)蒸發鍍膜設備中, 真空鍍膜室的(Of)本底真空度要(Want)求較高, 一(One)般真空度越高, 腔室内雜質氣體的(Of)量越少, 鍍膜材料在(Exist)沉積到(Arrive)基片上(Superior)的(Of)過程中, 與環境中的(Of)雜質氣體碰撞變少, 粒子的(Of)能量大(Big), 可以(By)在(Exist)基片上(Superior)形成更緻密均勻的(Of)膜, 由于(At)分子泵的(Of)無油和(And)高真空特性, 逐漸取代了(Got it)有油的(Of)擴散泵成爲(For)最普遍的(Of)真空系統, 上(Superior)海伯東德國(Country)普發 Pfeiffer 分子泵成功應用(Use)于(At)此. 

上(Superior)海伯東電子束蒸發鍍膜客戶案例一(One): 某大(Big)學微電子學系, 電子束蒸發鍍膜系統配置德國(Country) Pfeiffer 分子泵 HiPace 2300, 用(Use)于(At)生(Born)長半導體材料, 金屬膜, Mn 氧化物膜. 系統主要(Want)參數如下
1. 真空度要(Want)求: 5x10-7 mbar
2. 基片尺寸: ≤Ф12英寸    
3. 電子槍功率: 5-10KW
4. 襯底溫度：350℃          
7. 溫度均勻性：±10℃       
7.樣平台轉速：≤20r/min    
8. 坩埚數量：4 
9. 鍍膜均勻性：±5%（Al）  
10. 控制系統：PC+PLC全自動控制

電子束蒸發真空系統配置

	渦輪分子泵 HiPace 2300 接口: DN  250 CF-F 極限真空: < 5X10-10 mbar 氮氣壓縮比: > 1X1011 抽速: 1900 l/s
	全量程真空計 PKR 251 測量範圍: 5E-9至 1000  如下三種接口可選 DN25 ISO-KF DN40 ISO-KF DN40 CF-F

Pfeiffer 渦輪分子泵抽速範圍 10 至 2700 L/S, 轉速最高 90,000 rpm, 極限真空最大(Big) 1E-11 mbar, 對小分子氣體具有更高的(Of)壓縮比, 實踐證明 Pfeiffer 渦輪分子泵運行時(Hour)間可以(By)達到(Arrive) 100,000 小時(Hour)! 普發分子泵提供複合軸承分子泵和(And)五軸全磁浮分子泵二大(Big)系列滿足不(No)同應用(Use), 推薦搭配 Pfeiffer 旋片泵和(And)幹泵共同使用(Use). 更多分子泵典型應用(Use) >>

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