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射頻等離子體源 RF2100ICP Plasma Source
上(Superior)海伯東代理美國(Country) KRi 考夫曼品牌離子源, 推出(Out) RF2100ICP Plasma Source 射頻等離子體源及配套控制器, RF2100 等離子體放電, RFICP 在(Exist) 2MHz, 電子自動匹配, 固定匹配網絡. 離子源 RF2100ICP 适用(Use)于(At)預清潔, 氧化和(And)氮化處理, 輔助沉積, 以(By)及各類半導體材料, 磁性金屬等的(Of)制備.
KRi RF2100 ICP 射頻等離子體源特性
通過 RFICP 放電激活等離子體: 産生(Born) 100% O₂, N₂ 反應等離子束
寬束發散等離子束(準中性): 大(Big)出(Out)口平面孔徑, 提高覆蓋範圍和(And)均勻性
輸出(Out)低能量離子: 最大(Big)限度地減少襯底損壞
無提取栅網: 減少複雜性, 降低維護成本和(And)潛在(Exist)污染源
可靠的(Of)等離子點火電路: 專用(Use)電子源僅在(Exist)等離子體啓動時(Hour)開啓
離子源自動控制和(And)調節: 自動排序和(And)射頻阻抗匹配
無水冷卻: 消除真空中水洩漏的(Of)風險
适用(Use)于(At)不(No)同的(Of)轟擊距離: 一(One)般爲(For) 15 至 45厘米
KRi RF2100 ICP 射頻等離子體源參數
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Dishcharge |
電感耦合 |
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RF discharge power |
600W |
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輸出(Out)電流 |
> 500mA (取決于(At)功率,壓力和(And)氣體) |
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通 Ar 能量範圍 |
5-50V (取決于(At)功率和(And)壓力) |
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等離子尺寸@源打開 |
14cmφ |
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離子束形狀 |
發散 |
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點火 |
電子源 |
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氣體 |
Ar, O₂, N₂, H₂/Ar blend |
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壓力 |
0.5-10mTorr (取決于(At)氣體種類) |
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氣體流量 |
5-60sccm (取決于(At)抽速, 氣體, 壓力和(And)功率) |
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冷卻 |
無水冷卻 |
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一(One)般高度 |
9.25” (23.5cm) |
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直徑 |
7.675” (19.5cm |
1978 年 Dr. Kaufman 博士在(Exist)美國(Country)創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生(Born)産考夫曼離子源, 霍爾離子源和(And)射頻離子源. 美國(Country)考夫曼離子源曆經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用(Use)于(At)離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上(Superior)海伯東是(Yes)美國(Country)考夫曼離子源中國(Country)總代理.
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