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考夫曼離子源 KDC 75
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考夫曼離子源 KDC 75

KRI 考夫曼離子源 KDC 75
上(Superior)海伯東代理美國(Country)原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 75: 緊湊栅極離子源, 離子束直徑 14 cm ,可安裝在(Exist) 8“CF法蘭. 适用(Use)于(At)中小型腔内, 考夫曼離子源 KDC 75 包含2個(Indivual)陰極燈絲, 其中一(One)個(Indivual)作(Do)爲(For)備用(Use), KDC 75 提供緊密聚焦的(Of)電子束特别适合濺射鍍膜. 标準配置下離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以(By)超過 250 mA.
 

KRI 考夫曼離子源 KDC 75 技術參數
通過加熱燈絲産生(Born)電子, 是(Yes)典型的(Of)考夫曼型離子源, 離子源增強設計輸出(Out)低電流高能量寬束型離子束, 通過同時(Hour)的(Of)或連續的(Of)離子轟擊表面使原子(分子)沉積在(Exist)襯底上(Superior)形成薄膜, 實現輔助鍍膜 IBAD.

型号

KDC 75 / KDC 75L(低電流輸出(Out))

供電

DC magnetic confinement

 - 陰極燈絲

2

 - 陽極電壓

0-100V DC

電子束

OptiBeam™

 - 栅極

專用(Use), 自對準

 -栅極直徑

7.5 cm

中和(And)器

燈絲

電源控制

KSC 1212 或 KSC 1202

配置

-

 - 陰極中和(And)器

Filament, Sidewinder Filament  或LFN 2000

 - 安裝

移動或快速法蘭

 - 高度

7.9'

 - 直徑

5.5'

 - 離子束

聚焦
平行
散設

 -加工材料

金屬
電介質
半導體

 -工藝氣體

惰性
活性
混合

 -安裝距離

6-24”

 - 自動控制

控制4種氣體

* 可選: 一(One)個(Indivual)陰極燈絲; 可調角度的(Of)支架

KRI 考夫曼離子源 KDC 75 應用(Use)領域
濺鍍和(And)蒸發鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和(And)多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE

KRi KDC 考夫曼離子源典型案例:
設備: e-beam 電子束蒸發系統
離子源型号: KDC 75
應用(Use): IBAD 輔助鍍膜, 在(Exist)玻璃上(Superior)鍍上(Superior)高反射率膜 (光栅的(Of)鍍膜)
離子源對工藝過程的(Of)優化: 無需加熱襯底, 對溫度敏感材料進行低溫處理, 簡化反應沉積

IBAD輔助鍍膜

若您需要(Want)進一(One)步的(Of)了(Got it)解 KRi 考夫曼離子源, 請參考以(By)下聯絡方式
上(Superior)海伯東: 葉小姐                                  台灣伯東: 王小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 107             T: +886-3-567-9508 ext 161
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