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霍爾離子源 eH 200
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霍爾離子源 eH 200

KRI 霍爾離子源 eH 200
上(Superior)海伯東代理美國(Country)原裝進口 KRI 霍爾離子源 eH200 是(Yes)霍爾離子源型 eH 系列中尺寸最小, 低成本設計離子源. 霍爾離子源 eH200 适用(Use)于(At)小型真空腔内, 例如研發分析, 薄膜沉積和(And)離子清洗. 霍爾離子源 eH200 操作(Do)簡單是(Yes)理想的(Of)生(Born)産工具.

KRI 霍爾離子源 eH 200 技術參數：

型号

eH 200

供電

DC magnetic confinement

  - 電壓

40-300V VDC

  - 離子源直徑

~ 2 cm

  - 陽極結構

模塊化

電源控制

eHx-3005A

配置

-

  - 陰極中和(And)器

Filament or Hollow Cathode

  - 離子束發散角度

> 45° (hwhm)

  - 陽極

标準或 Grooved

  - 水冷

無

  - 底座

移動或快接法蘭

  - 高度

2.0'

  - 直徑

2.5'

  -加工材料

金屬
電介質
半導體

  -工藝氣體

Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

  - 安裝距離

6-24”

  - 自動控制

控制4種氣體

* 可選: 可調角度的(Of)支架; Filamentless; Sidewinder

KRI 霍爾離子源 eH 200 應用(Use)領域：
濺鍍和(And)蒸發鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
直接沉積 DD

若您需要(Want)進一(One)步的(Of)了(Got it)解 KRi 霍爾離子源, 請參考以(By)下聯絡方式
上(Superior)海伯東: 葉小姐                                  台灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267                   T: +886-3-567-9508 ext 161
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