普發氦質譜檢漏儀

氦質譜檢漏儀半導體特殊器件檢漏
半導體器件 semiconductor device 通常利用(Use)不(No)同的(Of)半導體材料, 采用(Use)不(No)同的(Of)工藝和(And)幾何結構, 已研制出(Out)種類繁多, 功能用(Use)途各異的(Of)多種晶體二極管, 晶體二極管的(Of)頻率覆蓋範圍可從低頻, 高頻, 微波, 毫米波, 紅外直至光波. 三端器件一(One)般是(Yes)有源器件, 典型代表是(Yes)各種晶體管 ( 又稱晶體三極管 ). 晶體管又可以(By)分爲(For)雙極型晶體管和(And)場效應晶體管兩類.

半導體特殊器件檢漏原因
半導體器件是(Yes)導電性介于(At)良導電體與絕緣體之間, 利用(Use)半導體材料特殊電特性來(Come)完成特定功能的(Of)電子器件, 可用(Use)來(Come)産生(Born), 控制, 接收, 變換, 放大(Big)信号和(And)進行能量轉換, 對密封性的(Of)要(Want)求極高, 如果存在(Exist)洩漏會影響其使用(Use)性能和(And)精度, 光通信行業的(Of)漏率标準是(Yes)小于(At) 5×10-8mbar.l/s, 因此需要(Want)進行檢漏.


半導體特殊器件檢漏客戶案例: 某知名半導體公司, 通過上(Superior)海伯東推薦采購氦質譜檢漏儀 ASM 340
 

半導體特殊器件檢漏方法
由于(At)器件體積小, 且無法抽真空或直接充入氦氣, 而氦檢漏又離不(No)開氦氣作(Do)爲(For)示蹤氣體, 所以(By)上(Superior)海伯東推薦采用(Use)”背壓法”檢漏, 具體做法如下:
1. 将被檢器件放入真空保壓罐, 壓力和(And)時(Hour)間根據漏率大(Big)小設定
2. 取出(Out)器件, 使用(Use)空氣或氮氣吹掃表面氦氣
3. 将器件放入真空測試罐, 測試罐連接氦質譜檢漏儀
4. 啓動氦質譜檢漏儀, 開始檢測


”背壓法”圖示

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上(Superior)海伯東: 葉女士                             台灣伯東: 王女士
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