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KRi 射頻離子源 RFICP 40
上(Superior)海伯東代理美國(Country)原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射頻離子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效離子源. 适用(Use)于(At)集成在(Exist)小型的(Of)真空腔體内. 離子源 RFICP 40 設計采用(Use)創新的(Of)栅極技術用(Use)于(At)研發和(And)開發應用(Use). 離子源 RFICP 40 無需電離燈絲設計, 适用(Use)于(At)通氣氣體是(Yes)活性氣體時(Hour)的(Of)工業應用(Use). 标準配置下 RFICP 40 離子能量範圍 100 至 1200ev, 離子電流可以(By)超過 120 mA.
射頻離子源 RFICP 40 特性:
1. 離子源放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術提供高密度離子, 工藝時(Hour)間更長.
2. 離子源結構模塊化設計, 使用(Use)更簡單; 基座可調節, 優化蝕刻率和(And)均勻性.
3. 提供聚焦, 發散, 平行的(Of)離子束
4. 離子源自動調節技術保障栅極的(Of)使用(Use)壽命和(And)可重複的(Of)工藝運行
5. 栅極材質钼和(And)石墨,堅固耐用(Use)
6. 離子源中和(And)器 Neutralizer, 測量和(And)控制電子發射,确保電荷中性
KRI 射頻離子源 RFICP 40 技術參數:
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型号 |
RFICP 40 |
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Discharge 陽極 |
RF 射頻 |
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離子束流 |
>100 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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栅極直徑 |
4 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
3-10 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他(He) |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
12.7 cm |
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直徑 |
13.5 cm |
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中和(And)器 |
LFN 2000 or RFN |
KRi 射頻離子源典型應用(Use)：
預清洗 PC
表面改性
輔助鍍膜 (光學鍍膜 ) IBAD
濺鍍和(And)蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和(And)多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
KRi 射頻離子源 RFICP 40 客戶案例：
安裝于(At) e-beam 電子束蒸發系統, 進行 IBAD 輔助鍍膜 (玻璃上(Superior)鍍反射塗層).
1978 年 Dr. Kaufman 博士在(Exist)美國(Country)創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生(Born)産寬束離子源, 根據設計原理分爲(For)考夫曼離子源, 霍爾離子源和(And)射頻離子源. 美國(Country)考夫曼離子源曆經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用(Use)于(At)離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上(Superior)海伯東是(Yes)美國(Country) KRi 考夫曼離子源中國(Country)總代理.
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