普發氦質譜檢漏儀

上(Superior)海伯東 Pfeiffer 殘餘氣體分析質譜儀 QMG 應用(Use)于(At)分子束外延(MBE)系統
分子束外延(MBE)是(Yes)一(One)種晶體生(Born)長技術，将半導體襯底放置在(Exist)超高真空腔體中，和(And)将需要(Want)生(Born)長的(Of)單晶物質按元素的(Of)不(No)同分别放在(Exist)噴射爐中，由分别加熱到(Arrive)相應溫度的(Of)各元素噴射出(Out)的(Of)分子流能在(Exist)襯底上(Superior)生(Born)長出(Out)極薄的(Of)，可薄至單原子層水平，單晶體和(And)幾種物質交替的(Of)超晶格結構。
分子束外延主要(Want)研究的(Of)是(Yes)不(No)同結構或不(No)同材料的(Of)晶體和(And)超晶格的(Of)生(Born)長。該方法生(Born)長溫度低，能嚴格控制外延層的(Of)層厚組分和(And)摻雜濃度。
分子束外延系統對真空度要(Want)求及其高，對真空腔體的(Of)密封性、材料放氣率、微量雜質氣體和(And)水蒸氣比較敏感，本系統采用(Use)上(Superior)海伯東德國(Country) Pfeiffer 殘氣質譜儀 QMG 對超高真空腔體進行檢漏，及材料放氣組分及水汽進行分析，确保超高真空及真空的(Of)穩定性，對晶格的(Of)生(Born)長起到(Arrive)很好的(Of)作(Do)用(Use)。

客戶案例：上(Superior)海某研究所 MBE 超高真空系統

系統運行條件：
1. 主要(Want)針對 ZnO 等金屬氧化物外延生(Born)長
2. 超高真空生(Born)長室，配有上(Superior)海伯東德國(Country) Pfeiffer殘餘氣體分析質譜儀 QMG+液氮冷屏;
3. 配有12個(Indivual)加熱洩流源.
4. 襯底加熱器加熱溫度1200℃
5. SiC 襯底加熱器可以(By)在(Exist)氧氣環境下工作(Do);
6. 線型進樣室實現全自動送片 

配套 Pfeiffer QMG 殘餘氣體分析質譜儀配置:
1.測量範圍:1-100amu
2.檢測器:Faraday/C-SEM
3.烘烤溫度:200℃
4.離子源:Grid ion source
5.燈絲:Yttriated iridium
6.配有軟件及I/O模塊

Pfeiffer 殘餘氣體質譜分析儀與友廠同級别質譜分析儀相比，更适用(Use)于(At)移動應用(Use)，并且提供高解析度和(And)靈敏度，可對氣體進行定性和(And)定量分析，應用(Use)範圍廣泛，從大(Big)氣壓力到(Arrive)高真空均可使用(Use)。


若您需要(Want)進一(One)步的(Of)了(Got it)解在(Exist)線質譜分析儀 OmniStar® / ThermoStar®, 請參考以(By)下聯絡方式：
上(Superior)海伯東: 葉小姐                             台灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267                  T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                      F: +886-3-567-0049
M: +86 1391-883-7267                   M: +886-939-653-958
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