普發氦質譜檢漏儀

離子束刻蝕機 4IBE
上(Superior)海伯東日本原裝進口小型 4英寸離子蝕刻機,适用(Use)于(At)科研院所, 實驗室研究, 幹法, 納米級别材料的(Of)表面刻蝕, 刻蝕均勻性 ≤±5%. 幾乎滿足所有材料的(Of)刻蝕. 例如磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及複合半導體材料, 廣泛應用(Use)于(At) RF 射頻器件, MEMS 傳感器, 磁性器件等

離子束刻蝕機 IBE 特性:
1. 幹法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級别的(Of)刻蝕精度
2. 射頻角度可以(By)任意調整, 蝕刻可以(By)根據需要(Want)做垂直, 斜面等等加工形狀
3. 基闆直接加裝在(Exist)直接冷卻裝置上(Superior),可以(By)在(Exist)低溫環境下蝕刻.
4. 配置公轉自轉傳輸機構 ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以(By)得到(Arrive)比較均勻平滑的(Of)表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%
5. 幾乎滿足所有材料的(Of)刻蝕, IBE 可用(Use)于(At)反應離子刻蝕 RIE 不(No)能很好刻蝕的(Of)材料
6. 配置德國(Country) Pfeiffer 分子泵和(And)旋片泵
7. 刻蝕機設計使用(Use)自動化的(Of)操作(Do)流程, 非常友好的(Of)使用(Use)生(Born)産過程

4英寸離子蝕刻機主要(Want)參數

型号	4IBE
樣品數量尺寸	φ4” X1
離子束入射角度	0～± 90
離子源	考夫曼離子源
極限真空度 Pa	≦1x10-4
Pfeiffer 分子泵抽速 l/s	350
均勻性	≤±5%

伯東公司超過 50年的(Of)離子刻蝕市場經驗, 擁有龐大(Big)的(Of)安裝基礎和(And)經過市場驗證的(Of)刻蝕技術!

若您需要(Want)進一(One)步的(Of)了(Got it)解離子束刻蝕機 IBE 詳細信息, 請參考以(By)下聯絡方式
上(Superior)海伯東: 葉小姐                                   台灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同号 )     T: +886-3-567-9508 ext 161
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