産品搜尋

KRi 射頻離子源 RFICP 220 IBE 離子束刻蝕
閱讀數: 6241

KRi 射頻離子源 RFICP 220 IBE 離子束刻蝕

KRi 射頻離子源典型應用(Use): 12英寸, 8英寸 IBE 離子束刻蝕系統
上(Superior)海伯東美國(Country) KRi 考夫曼公司大(Big)口徑射頻離子源  RFICP 380, RFICP 220 成功應用(Use)于(At) 12英寸和(And) 8英寸 IBE  離子束蝕刻機, 實現 300mm 和(And) 200 mm 矽片蝕刻, 刻蝕 均勻性（1 σ）達到(Arrive)< 1%. KRi 離子源可以(By)用(Use)來(Come)刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導體, 絕緣體, 超導體等.

離子束刻蝕屬于(At)幹法刻蝕, 其核心部件爲(For)離子源. 作(Do)爲(For)蝕刻機的(Of)核心部件, KRi  射頻離子源提供大(Big)尺寸, 高能量, 低濃度的(Of)寬束離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時(Hour)間更長, 滿足各種材料刻蝕需求!  
KRi 射頻離子源典型應用(Use): 12英寸, 8英寸 IBE 離子束蝕刻系統


客戶案例: 12英寸 IBE 離子束蝕刻機安裝 KRi 射頻離子源
KRi 離子源工作(Do)過程: 氣體通入離子源的(Of)放電室中,  電離産生(Born)均勻的(Of)等離子體, IBE系統由離子源的(Of)栅極将正離子引出(Out)并加速, 然後由中和(And)器進行中和(And). 利用(Use)引出(Out)的(Of)帶有一(One)定動能的(Of)離子束流撞擊樣品表面, 通過物理濺射将材料除去, 進而獲得刻蝕圖形. 這(This)一(One)過程屬于(At)純物理過程, 一(One)般運行在(Exist)較高的(Of)真空度下.
KRi 射頻離子源 離子蝕刻
KRi 射頻離子源 離子蝕刻
 

由于(At)等離子體的(Of)産生(Born)遠離晶圓空間, 起輝不(No)受非揮發性副産物的(Of)影響.
這(This)種物理方案, 栅網拉出(Out)的(Of)離子束的(Of)能量和(And)密度可以(By)獨立控制, 提升了(Got it)工藝可控性
通過載片台的(Of)角度調整, 實現離子束傾斜入射, 可用(Use)于(At)特殊圖案的(Of)刻蝕, 也适用(Use)于(At)側壁清洗等工藝.
蝕刻多層時(Hour)不(No)需要(Want)化學優化, 一(One)般工藝通氩氣, 也可通活性氣體.

KRI 射頻離子源 離子蝕刻

KRi 射頻離子源 RFICP 系列技術參數:

型号

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

Discharge 陽極

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻

RF 射頻
2kw & 1.9 ± 0.2 MHz

RF 射頻
2kw & 1.8 MHz

離子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

離子動能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

栅極直徑

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

20 cm Φ

30 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

 

流量

3-10 sccm

5-30 sccm

5-30 sccm

10-40 sccm

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他(He)

典型壓力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

長度

12.7 cm

23.5 cm

24.6 cm

30 cm

39 cm

直徑

13.5 cm

19.1 cm

24.6 cm

41 cm

59 cm

中和(And)器

LFN 2000

上(Superior)海伯東同時(Hour)提供IBE 離子蝕刻系統所需的(Of)渦輪分子泵, 真空規, 高真空插闆閥等産品, 協助客戶生(Born)産研發高質量的(Of)蝕刻系統.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在(Exist)美國(Country)創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生(Born)産考夫曼離子源, 霍爾離子源和(And)射頻離子源. 美國(Country)考夫曼離子源曆經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用(Use)于(At)離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上(Superior)海伯東是(Yes)美國(Country)  KRi 考夫曼離子源中國(Country)總代理.

若您需要(Want)進一(One)步的(Of)了(Got it)解 KRi 射頻離子源, 請參考以(By)下聯絡方式
上(Superior)海伯東: 葉小姐                                  台灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267                      T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                          F: +886-3-567-0049
M: +86 1391-883-7267                       M: +886-939-653-958
上(Superior)海伯東版權所有, 翻拷必究！

其他(He)産品