離子束刻蝕機 IBE
Hakuto 日本原裝設計制造離子束刻蝕機 IBE (離子蝕刻機) 提供 4英寸, 6英寸, 8英寸幹法, 納米級别材料的(Of)表面刻蝕, 刻蝕均勻性 ≤±5%. IBE 刻蝕機幾乎滿足所有材料的(Of)刻蝕. 例如磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及複合半導體材料, 廣泛應用(Use)于(At) RF 射頻器件, MEMS 傳感器, 磁性器件 …, 滿足研發和(And)量産需要(Want). IBE 可用(Use)于(At)反應離子刻蝕 RIE 不(No)能很好刻蝕的(Of)材料.
自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套離子刻蝕機. 刻蝕機配置德國(Country) Pfeiffer 渦輪分子泵. 伯東公司超過 50年的(Of)離子束刻蝕市場經驗, 擁有龐大(Big)的(Of)安裝基礎和(And)經過市場驗證的(Of)刻蝕技術!
離子蝕刻機 4 IBE
小型離子蝕刻機, 适用(Use)于(At)科研院所, 實驗室研究 |
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