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氦質譜檢漏儀封裝激光芯片檢漏
激光芯片是(Yes)光通信設備的(Of)重要(Want)組成部分, 具有高回波損耗, 低插入損耗; 高可靠性, 穩定性, 機械耐磨性和(And)抗腐蝕性, 易于(At)操作(Do)等特點. 激光芯片在(Exist) Box 内封裝, 對密封性的(Of)要(Want)求較高, 上(Superior)海伯東客戶某生(Born)産激光芯片客戶采購幹式氦質譜檢漏儀 ASM 340 D 進行封裝激光芯片的(Of)洩漏檢測.
封裝激光芯片需要(Want)檢漏: 激光芯片在(Exist) Box 内進行封裝, 封裝完成後的(Of)激光芯片漏率要(Want)求小于(At) 5×10-8mbar.l/s, 如果密封性不(No)夠會影響其使用(Use)性能和(And)精度, 因此需要(Want)進行洩漏檢測.
封裝激光芯片檢漏方法
激光芯片在(Exist) Box 内封裝後, 需要(Want)對其本身的(Of)密封性進行洩漏測試. 由于(At)封裝激光芯片器件體積小, 且無法抽真空或直接充入氦氣, 上(Superior)海伯東推薦使用(Use)氦質譜檢漏儀“背壓法”檢漏, 具體做法如下:
1. 将被檢封裝激光芯片放入真空保壓罐, 壓力和(And)時(Hour)間根據漏率大(Big)小設定
2. 取出(Out)封裝激光芯片, 使用(Use)空氣或氮氣吹掃表面氦氣
3. 将封裝激光芯片放入真空測試罐, 測試罐連接氦質譜檢漏儀進氣口
4. 啓動氦質譜檢漏儀, 真空模式下, 漏率值設定爲(For) 5×10-8mbar.l/s 進行檢漏.
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