離子蝕刻機離子束刻蝕機 20IBE-C

離子蝕刻機 20 IBE-C
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離子蝕刻機 20IBE-C
上(Superior)海伯東日本原裝進口适合中等規模量産使用(Use)的(Of)離子刻蝕機, 樣品台可選直接冷卻 / 間接冷卻

φ4 inch X 6片	基闆尺寸	< φ3 inch X 8片 < φ4 inch X 6片 < φ8 inch X 1片	可選
	樣品台	樣品台可選直接冷卻 / 間接冷卻0-90度旋轉
	離子源	20cm 考夫曼離子源
	均勻性	±10% for 8”Ф
	矽片刻蝕率	20 nm/min
	溫度	<100

NS 離子蝕刻機 20IBE-C 組成

離子束刻蝕機 IBE 特性:
1. 幹法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級别的(Of)刻蝕精度
2. 射頻角度可以(By)任意調整, 蝕刻可以(By)根據需要(Want)做垂直, 斜面等等加工形狀
3. 基闆直接加裝在(Exist)直接冷卻裝置上(Superior),可以(By)在(Exist)低溫環境下蝕刻.
4. 配置公轉自轉傳輸機構 ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以(By)得到(Arrive)比較均勻平滑的(Of)表面. 刻蝕均勻性 ≤±5%
5. 幾乎滿足所有材料的(Of)刻蝕, IBE 可用(Use)于(At)反應離子刻蝕 RIE 不(No)能很好刻蝕的(Of)材料
6. 配置德國(Country) Pfeiffer 分子泵和(And)旋片泵
7. 刻蝕機設計使用(Use)自動化的(Of)操作(Do)流程, 非常友好的(Of)使用(Use)生(Born)産過程

離子蝕刻機

自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套離子刻蝕機. 刻蝕機配置德國(Country) Pfeiffer 渦輪分子泵. 伯東公司超過 50年的(Of)離子束刻蝕市場經驗, 擁有龐大(Big)的(Of)安裝基礎和(And)經過市場驗證的(Of)刻蝕技術! 上(Superior)海伯東也是(Yes)美國(Country) KRi 離子源中國(Country)總代理, KRi 離子源适用(Use)于(At)各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和(And)離子束抛光 IBF 等工藝.

若您需要(Want)進一(One)步的(Of)了(Got it)解離子束刻蝕機 IBE 詳細信息, 請參考以(By)下聯絡方式
上(Superior)海伯東: 葉小姐                                   台灣伯東: 王小姐
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同号 )   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                            F: +886-3-567-0049
M: +86 1391-883-7267 ( 微信同号 )      M: +886-975-571-910
qq: 2821409400

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