普發氦質譜檢漏儀

伯東公司 KRI 考夫曼霍爾離子源光學蒸鍍鍍膜機應用(Use)

常見蒸鍍機台與對應 KRI 霍爾離子源型号：

蒸鍍機台尺寸	KRI 離子源
~1100mm	eH1010
1100~1400mm	eH1010, eH1020
1400~1900mm	eH1020, eH3000

KRI 考夫曼霍爾離子源 controller 自動化控制及聯機自動化設計，提供使用(Use)者在(Exist)操作(Do)上(Superior)更是(Yes)便利。

KRI 考夫曼霍爾離子源 Gun body 模塊化之設計、提供使用(Use)者在(Exist)于(At)基本保養中能夠降低成本及便利性。

伯東公司客戶 1400 mm 蒸鍍鍍膜機安裝 KRI考夫曼霍爾離子源 EH1020 F，應用(Use)于(At)塑料光學鍍膜。

KRI 考夫曼霍爾離子源 EH1020 主要(Want)參數:

Filament Controller	Discharge controller	Gas controller
17.2A/ 22V	150V/ 4.85A	Ar/ 32sccm

利用(Use) KRI 考夫曼霍爾離子源輔助鍍膜及無離子源輔助鍍膜對鍍膜質量之比較：

	KRI EH1020 輔助鍍膜	無 Ion Source 輔助鍍膜
鹽水煮沸脫膜測試	優	劣
破壞性百格脫膜測試	優	劣
光學折射設率	高	低
膜層緻密性	優	劣
膜層光學吸收率	無	有
制程腔體加熱溫度	低	高
生(Born)産成本	低	高

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

KRI 考夫曼霍爾離子源系列主要(Want)型号包含：

	離子源 eH200	離子源 eH400	離子源 eH1010	離子源 eH1020	離子源 eH3000
Cathode	Filament or Hollow cathode	Filament or Hollow cathode	Filament or Hollow cathode	Filament or Hollow cathode	Hollow cathode
Water Cooled Anode	no	no	no	yes	no
Discharge Currentmax	2 A	3.5 (7) A	10 (7) A	10 (20) A	20 (10) A
Discharge  Voltagemax	300 V	300 (150) V	300 (150 ) V	300 (150) V	250 (300) V
Discharge  Voltagemin	40* V	40* V	40* V	40* V	40* V
Divergence (hmhw)	45°	45°	45°	45°	45°
Height (nominal)	2.0”	3.0”	4.0”	4.0”	6.0”
Diameter (nominal)	2.5”	3.7”	5.7”	5.7”	9.7”

1978 年 Dr. Kaufman 博士在(Exist)美國(Country)創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生(Born)産考夫曼離子源, 霍爾離子源和(And)射頻離子源. 美國(Country)考夫曼離子源曆經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用(Use)于(At)離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上(Superior)海伯東是(Yes)美國(Country)考夫曼離子源中國(Country)總代理.

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上(Superior)海伯東: 葉小姐                                  台灣伯東: 王小姐
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