pfeiffer 氦質譜檢漏儀

Atonarp 過程控制質譜儀 Aston™, 通過使用(Use)分子傳感技術, 提供半導體制程中  ALD, CVD, 蝕刻, ALE 和(And)腔室在(Exist)大(Big)批量生(Born)産中的(Of)氣體偵測分析, 實現尾氣在(Exist)線監控, 診斷, 爲(For)半導體過程控制提供解決方案, 提高半導體制造工藝的(Of)産量, 吞吐量和(And)效率

Aston™ 質譜分析儀耐受腐蝕性氣體和(And)氣化污染物冷凝液, 在(Exist)惡劣的(Of) CVD 環境中, Aston™ 利用(Use)可操作(Do)的(Of)數據預測和(And)防範因 CVD 幹泵引起的(Of)災難性故障.

半導體和(And)薄膜太陽能工藝使用(Use)并産生(Born)各種工藝氣體和(And)顆粒材料副産品, 有害氣體需要(Want)以(By)受控方式進行處理. 使用(Use) Aston 等離子體質譜儀, 可以(By)根據進入的(Of)廢氣濃度和(And)測量的(Of)排放氣體數據, 記錄日志, 對燃燒過程進行現場優化控制.

EUV 極紫外光刻技術越來(Come)越多地用(Use)于(At)支持 <10nm 工藝技術的(Of)關鍵尺寸圖案形成. 管理這(This)些價值超過 2億美元光刻機的(Of)正常運行時(Hour)間和(And)生(Born)産量對晶圓 Fab 廠的(Of)經濟至關重要(Want). 上(Superior)海伯東日本 Atonarp Aston™ 過程質譜分析儀通過快速, 可操作(Do), 高靈敏度的(Of)分子診斷數據盡可能實現反射闆鍍錫層清潔, 并且 Aston™ 過程質譜的(Of)實時(Hour)氫氣 H₂ 監測也降低了(Got it)每個(Indivual) EUV 工具的(Of)氫氣消耗.

沉積晶圓通量是(Yes)晶圓廠 FAB 效率的(Of)關鍵指标之一(One), 也是(Yes)晶圓廠 FAB 不(No)斷改進以(By)降低每次移動成本和(And)減少資本支出(Out)的(Of)關鍵指标. 上(Superior)海伯東日本 Atonarp Aston™ 質譜儀提供腔室清潔終點檢測方案已成功應用(Use)于(At) low-k 電介質沉積應用(Use) ( 特别是(Yes)氮化矽 Si3N4 ), 在(Exist)減少顆粒污染的(Of)同時(Hour), 縮短了(Got it)生(Born)産時(Hour)間.

 Aston™ 質譜儀 的(Of) OA% 靈敏度顯示爲(For) <0.25%, 其檢測限比 OES（LOD 約 2.5%）高出(Out)一(One)個(Indivual)數量級. 此外, Aston™内部産生(Born)的(Of)基于(At)等離子體的(Of)電離源允許它在(Exist)存在(Exist)腐蝕性蝕刻氣體的(Of)情況下工作(Do), 無論處理室中是(Yes)否存在(Exist)等離子體源.

Aston™ 質譜分析儀是(Yes)一(One)款快速, 強大(Big)的(Of)化學特異性氣體質譜儀, 提供 ALD 過程控制解決方案, 可在(Exist)這(This)些非等離子體（“lights-off”）過程中提供原位計量和(And)控制. 它可以(By)實現快速, 化學特定的(Of)原位定量氣體分析, 低至十億分之幾的(Of)水平, 提供 ALD 過程控制所需的(Of)實時(Hour)數據.

Aston™支持原位質譜, 無需使用(Use)傳統氣相色譜質譜解決方案即可進行快速, 定量的(Of)氣體分析. 樣品可以(By)在(Exist)幾秒鍾内完成分析, 靈敏度達到(Arrive)十億分之幾, 無需專業技術人(People)員支持即可輕松實現. 高度集成和(And)緊湊的(Of) Aston ICP-MS 系統的(Of)尺寸通常不(No)到(Arrive)傳統 GC-MS 的(Of)三分之一(One), 體積小且堅固實用(Use), 無需專門的(Of)處理或載氣瓶即可運輸到(Arrive)現場進行測試.

上(Superior)海伯東 Aston™ 質譜儀的(Of)原位實時(Hour)分子診斷和(And)雲連接數據是(Yes)實現這(This)一(One)能力的(Of)關鍵技術, 從而解鎖半導體設備與工藝協同優化的(Of)潛力.

Aston 原位質譜儀可以(By)進行快速, 化學特異性原位定量氣體分析, 以(By)實現安全, 準确和(And)效率高的(Of)腔室吹掃終點檢測. 與典型的(Of)基于(At)時(Hour)間的(Of)清洗程序相比, 這(This)可以(By)節省大(Big)量的(Of)設備停機時(Hour)間。